熱阻測(cè)試儀可以測(cè)試Rja，Rjc，Rjb Rjl 的熱阻(測(cè)試原理符合JEDEC51-1 定義的動(dòng)態(tài)及靜態(tài)測(cè)試方法) 并且每一個(gè)拐點(diǎn)都表明熱進(jìn)入了一個(gè)新的層次。每個(gè)層次的數(shù)據(jù)將表明這個(gè)器件不同層向外散熱的好壞，對(duì)不同廠(chǎng)家同類(lèi)產(chǎn)品而言，可以讓我們選擇熱阻值非常好的廠(chǎng)家;同時(shí)它也可以檢測(cè)同一廠(chǎng)家，同類(lèi)產(chǎn)品，不同批次質(zhì)量的差異，從而評(píng)測(cè)出該廠(chǎng)家生產(chǎn)工藝的穩(wěn)定性。
下面讓我們一起來(lái)了解一下熱阻測(cè)試儀的功能有哪些吧
1) 瞬態(tài)阻抗(Thermal Impedance)測(cè)試，可以得到從開(kāi)始加熱到結(jié)溫達(dá)到穩(wěn)定這一過(guò)程中的瞬態(tài)阻抗數(shù)據(jù)。見(jiàn)上圖
2) 穩(wěn)態(tài)熱阻(Thermal Resistance)各項(xiàng)參數(shù)的測(cè)試，其包括：Rja,Rjb,Rjc,Rjl, 當(dāng)器件在給一定的工作電流后。熱量不斷地向外擴(kuò)散，后達(dá)到了熱平衡，這時(shí)得到的結(jié)果是穩(wěn)態(tài)熱阻值。在沒(méi)有達(dá)到熱平衡之前測(cè)試到的是熱阻抗。 可以得到用不同占空比方波測(cè)試時(shí)的阻抗與熱阻值。
3) 內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)與其散熱能力的相關(guān)性分析(Structure Function)，可以通過(guò)將類(lèi)似的圖一轉(zhuǎn)換成下面所示的曲線(xiàn)分析圖(熱容與熱阻關(guān)系圖)，這樣更能體現(xiàn)不同結(jié)構(gòu)下熱阻，以 LED 為例從圖中可以看出LED 器件散熱能力的瓶頸所在，對(duì)LED封裝工藝的改進(jìn)和封裝材料的選擇有很大幫助。下圖為兩種不同封裝結(jié)構(gòu)的 LED 樣品的分析圖。
不只 LED 器件可以得到這個(gè)分析圖，而且其他的器件也可以得到這個(gè)圖。并且也可以得到這種分析。從圖中可以看出黑色曲線(xiàn)的 LED熱阻低于綠色曲線(xiàn)的 LED熱阻，這也從客戶(hù)那里得到確認(rèn)，黑色曲線(xiàn)的 LED在芯片粘接與散熱方面的工藝得到很大改進(jìn)。
5) 裝片質(zhì)量的分析(Die Attachment Quality Evaluation).
主要測(cè)試器件的粘接處的熱阻抗值，如果有粘接層有氣孔，那么傳熱就要受阻，這樣將導(dǎo)致芯片的溫度上升，因此這個(gè)功能能夠衡量粘接工藝的穩(wěn)定性。
6.多晶片器件的測(cè)試。
以?xún)蓚€(gè)晶片為例：先給其中的晶片 1加電使其節(jié)溫升高然后測(cè)試出熱阻 R11 和功率Q1 同時(shí)給另一晶片 2供感應(yīng)電流然后測(cè)出感應(yīng)熱阻 R21.再給晶片 2加電使其節(jié)溫升高然后測(cè)試出熱阻R22節(jié)溫和功率 Q2, 同時(shí)給另一晶片 1供感應(yīng)電流然后測(cè)出感應(yīng)熱阻 R12。 根據(jù)熱阻的定義
